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全新GD25Q128ESIG 兆易貼片SOP8 FLASH存儲器芯片 GD閃存-GD25Q128ESIG圖片
  1. 全新GD25Q128ESIG 兆易貼片SOP8 FLASH存儲器芯片 GD閃存-GD25Q128ESIG圖片

芯聯智創-全新GD25Q128ESIG 兆易貼片SOP8 FLASH存儲器芯片 GD閃存-GD25Q128ESIG

廠家報價:面議 產品狀態:(熱賣)

特征:GD25Q128ESIG ◆ 128M 位串行閃存 ◆ 快速編程/擦除速度 - 16M 字節 - 頁編程時間:0.5ms(典型值) - 每個可編程頁面 256 字節 - 扇區擦除時間:典型值為 45 毫秒 - 塊擦除時間:0.15s/0.25s 典型

產品品牌: 芯聯智創
產品類別: IC器件
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深圳市芯聯智創科技有限公司

廠商介紹: 深圳市芯聯智創科技有限公司致力為安防監控、車載與行車、運動DV、工業相機、顯微鏡、AI人工智能、人臉識別門禁門鎖、航拍、掃碼掃描等視頻圖像領域內的客戶提供具有附加價值的供應鏈服務,是一家針對視頻圖像領域的電子元器件代理分銷商,芯聯智創提供SONY、ON(Aptina)、Omnivision、SOI、... [詳細]

經銷商 聯系方式 價格
芯聯智創 0755-23445959 面議

◆ 高速時鐘頻率
- 133MHz 30PF 負載下快速讀取 ◆ 低功耗
- 雙 I/O 數據傳輸速度高達 266Mbits/s - 14μA 典型待機電流
- 四路 I/O 數據傳輸速度高達 532Mbits/s - 1μA 典型深度斷電電流
◆ 軟件/硬件寫保護 ◆ 高級安全功能
- 通過軟件寫保護全部/部分內存 - 每個設備的 128 位 ID
- 使用 WP# 引腳啟用/禁用保護 - 串行閃存可發現參數 (SFDP) 寄存器
- 頂部/底部塊保護 - 具有 OTP 鎖的 3x1024 字節安全寄存器
◆ ***性和數據保留 ◆ 單電源電壓
- ***少 100,000 次編程/擦除周期 - 全電壓范圍:2.7-3.6V
- 典型的 20 年數據保留期
◆ 包裝信息
◆ 允許 XiP(就地執行)操作 - SOP8 2.08 億
- 高速讀取減少了整體 XiP 指令提取時間 - SOP16 300mil
- 帶 Wrap 的連續讀取進一步將數據延遲降低至 - USON8(4x4mm,0.45mm 厚度)
填滿 SoC 緩存 - WSON8 (6x5mm)
- WSON8 (8x6mm)
- TFBGA-24ball (6x4 Ball Array)
- TFBGA-24ball (5x5 Ball Array)

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